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   其工作原理是硅單晶材料在受到外力作用產(chǎn)生極微小應變時(shí)，其內部原子結構的電子能級狀態(tài)會(huì )發(fā)生變化，從而導致其電阻率劇烈變化，這種物理效應稱(chēng)為壓阻效應。利用壓阻效應原理，采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過(guò)摻雜、擴散，沿單晶硅片上的特定晶向，制成應變電阻，構成惠斯通電橋，就制成了一個(gè)集力敏與力電轉換監測與一體的擴散硅傳感器。

    當壓力直接或間接地作用在測量硅片的表面，使膜片產(chǎn)生微小的形變，測量硅片形變的高精度電路將這個(gè)微小的形變變換成為與壓力成正比的電壓信號，經(jīng)過(guò)溫度補償，然后采用專(zhuān)用芯片將這個(gè)電壓信號轉換為工業(yè)標準的4-20mA電流信號或者1-5V電壓信號。